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P-leitendes Halbleitermaterial besitzt einen Überschuss an sogenannten „Löchern“ beziehungsweise Elektronenfehlstellen. Diese entstehen durch Dotierung mit dreiwertigen Fremdatomen, beispielsweise Bor.
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Die Löcher verhalten sich wie positive bewegliche Ladungsträger und übernehmen den Stromtransport im p-leitenden Material.
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[picture:856:a_p_dotierung:Dotierung eines Halbleiters mit dreiwertigen Fremdatomen (p-Dotierung)] |