1.9 KiB
Die Z-Diode stabilisiert die Spannung am linken Anschluss von R_2 auf
U_Z=\qty{6,2}{\volt}
Befindet sich der Schleifer von R_3 am Anschlag 1, ist der Schleifer direkt mit dem oberen Anschluss von R_3 verbunden. Von diesem Punkt nach Masse liegen zwei Zweige parallel:
R_4=\qty{6,8}{\kilo\ohm}
und
R_3+R_6=\qty{220}{\ohm}+\qty{150}{\ohm}=\qty{370}{\ohm}
Der Ersatzwiderstand nach Masse beträgt damit:
R_\mathrm{u}=R_4\parallel(R_3+R_6)
R_\mathrm{u}=\frac{\qty{6800}{\ohm}\cdot\qty{370}{\ohm}}{\qty{6800}{\ohm}+\qty{370}{\ohm}}\approx\qty{351}{\ohm}
Nun ist auch R_2=\qty{270}{\ohm} zu berücksichtigen. R_2 und R_\mathrm{u} bilden an der stabilisierten Spannung von \qty{6,2}{\volt} einen Spannungsteiler:
U_\mathrm{G}=\qty{6,2}{\volt}\cdot\frac{\qty{351}{\ohm}}{\qty{270}{\ohm}+\qty{351}{\ohm}}\approx\qty{3,5}{\volt}
Da die Source-Anschlüsse der Transistoren auf Masse liegen, entspricht die Gate-Spannung gleichzeitig der Gate-Source-Spannung:
U_\mathrm{GS}\approx\qty{3,5}{\volt}
Die Gate-Source-Spannung beträgt somit ungefähr \qty{3,5}{\volt}.
Übrigens:
Der Widerstand R_5=\qty{51}{\ohm} beeinflusst die Gleichspannung am Gate praktisch nicht, da in das Gate des LDMOS-Transistors nahezu kein Gleichstrom fließt. Für das HF-Signal ist R_5 jedoch wichtig: Er bedämpft zusammen mit der Gate-Kapazität mögliche hochfrequente Schwingungen und verbessert damit die Stabilität des Verstärkers.
Der Widerstand R_4=\qty{6,8}{\kilo\ohm} sorgt dafür, dass das Gate auch bei einer Unterbrechung der Arbeitspunkteinstellung ein definiertes Potential gegen Masse besitzt. Er entlädt außerdem die Gate-Kapazität und verhindert damit, dass der Transistor durch ein frei schwebendes Gate unbeabsichtigt leitend wird. Da R_4 parallel zum unteren Zweig des Spannungsteilers liegt, muss er bei der genauen Berechnung der Gate-Spannung berücksichtigt werden.