2.2 KiB
Executable File
2.2 KiB
Executable File
[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling]
* Ingångssignal: Källa $\rightarrow$ bas $\rightarrow$ emitter $\rightarrow$ jord $\rightarrow$ källa
* Utsignal: Kollektor $\rightarrow$ last $\rightarrow$ matningsspänning $\rightarrow$ jord $\rightarrow$ emitter $\rightarrow$ kollektor
[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Arbetspunkten (BIAS) ställs in med spänningsdelaren vid basen
[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Kollektormotståndet omvandlar kollektorströmmen till en spänning * Kollektorströmmen flyter in i emitterströmmen * Emittermotståndet ger spänningsfall och höjer emitterpotentialen * Termiska ändringar av kollektorströmmen kompenseras automatiskt --- [picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * In- och utkoppling via kopplingskondensatorer * Håller likspänningskomponenter borta från arbetspunkten --- [picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Avkopplingskondensatorn leder oönskade HF- och LF-signaler från matningsspänningen till jord * Fasförskjutning mellan in- och utsignal: $\qty{180}{\degree}$ --- style="font-size: smaller;" [picture:227:a_emitterschaltung_ohne_bias:Bipolär transistor i emitterkoppling utan arbetspunktsförinställning] * BIAS-spänningsdelaren saknas * Styrningen sker bara med den tillförda signalen * Bas-emitter-sträckan leder först när cirka $\qty{0,5}{\volt}$ överskrids * Vid överskridande flyter en kollektorström * Spänningsfall på utgången --- [picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Spänningsförstärkning cirka $100\dots 300$ * Tas emitterkondensatorn bort $\rightarrow$ förstärkningsfaktorn sjunker betydligt * Förstärkningsfaktorn definieras då bara av förhållandet mellan kollektor- och emittermotstånd Hög spänningsförstärkning
[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Arbetspunkten (BIAS) ställs in med spänningsdelaren vid basen
[picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Kollektormotståndet omvandlar kollektorströmmen till en spänning * Kollektorströmmen flyter in i emitterströmmen * Emittermotståndet ger spänningsfall och höjer emitterpotentialen * Termiska ändringar av kollektorströmmen kompenseras automatiskt --- [picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * In- och utkoppling via kopplingskondensatorer * Håller likspänningskomponenter borta från arbetspunkten --- [picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Avkopplingskondensatorn leder oönskade HF- och LF-signaler från matningsspänningen till jord * Fasförskjutning mellan in- och utsignal: $\qty{180}{\degree}$ --- style="font-size: smaller;" [picture:227:a_emitterschaltung_ohne_bias:Bipolär transistor i emitterkoppling utan arbetspunktsförinställning] * BIAS-spänningsdelaren saknas * Styrningen sker bara med den tillförda signalen * Bas-emitter-sträckan leder först när cirka $\qty{0,5}{\volt}$ överskrids * Vid överskridande flyter en kollektorström * Spänningsfall på utgången --- [picture:136:a_emitterschaltung_schaltbild:Bipolär transistor i emitterkoppling] * Spänningsförstärkning cirka $100\dots 300$ * Tas emitterkondensatorn bort $\rightarrow$ förstärkningsfaktorn sjunker betydligt * Förstärkningsfaktorn definieras då bara av förhållandet mellan kollektor- och emittermotstånd Hög spänningsförstärkning