511 B
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Mit R_1 und R_2 werden die Gate-Vorspannungen und damit die Arbeitspunkte der beiden LDMOS-Transistoren getrennt eingestellt.
Werden die Schleifer von R_1 und R_2 jeweils in Richtung U_\mathrm{BIAS} verstellt, steigt die Gate-Spannung der zugehörigen Transistoren. Dadurch wird die Gate-Source-Spannung U_\mathrm{GS} größer und die Transistoren leiten stärker.
Um den Ruhestrom der Endstufe zu erhöhen, müssen daher sowohl R_1 als auch R_2 in Richtung U_\mathrm{BIAS} verstellt werden.