Mario Haustein
fb8699d3fd
See https://github.com/DARC-e-V/50ohm-contents-dl/issues/196#issuecomment-4835315095
293 B
293 B
Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden.
Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa \qty{2}{\milli\volt\per\kelvin}.