fix: use kelvin for temperature coefficient instead of degree celsius

See https://github.com/DARC-e-V/50ohm-contents-dl/issues/196#issuecomment-4835315095
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Mario Haustein
2026-07-01 23:52:10 +02:00
parent aac6247fc4
commit fb8699d3fd
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Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden. Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden.
Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\celsius}$. Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\kelvin}$.