refactor: leistungsverstärker

2026-08-10 16:56:04 +02:00
parent aaf5500d28
commit b5a685ec6b
9 changed files with 137 additions and 29 deletions
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+Mit $R_1$ und $R_2$ werden die Gate-Vorspannungen und damit die Arbeitspunkte der beiden LDMOS-Transistoren getrennt eingestellt.
+
+Werden die Schleifer von $R_1$ und $R_2$ jeweils in Richtung $U_\mathrm{BIAS}$ verstellt, steigt die Gate-Spannung der zugehörigen Transistoren. Dadurch wird die Gate-Source-Spannung $U_\mathrm{GS}$ größer und die Transistoren leiten stärker.
+
+Um den Ruhestrom der Endstufe zu erhöhen, müssen daher sowohl $R_1$ als auch $R_2$ in Richtung $U_\mathrm{BIAS}$ verstellt werden.