refactor: leistungsverstärker

2026-08-10 16:56:04 +02:00
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+Bei dieser Frage darf man sich nicht von der bekannten Eigenschaft eines Feldeffekttransistors täuschen lassen: Bei Gleichspannung ist das Gate praktisch stromlos und besitzt daher eine sehr hohe Eingangsimpedanz. Bei hohen Frequenzen spielen jedoch die parasitären Kapazitäten des Transistors eine wichtige Rolle, insbesondere die Kapazitäten zwischen Gate und Source sowie zwischen Gate und Drain. Ihr kapazitiver Blindwiderstand wird mit steigender Frequenz kleiner, sodass am Gate ein HF-Strom fließen kann. Bei HF-Leistungstransistoren kann die Eingangsimpedanz deshalb deutlich niedriger sein als man es von der Gleichstrombetrachtung eines FETs erwarten würde. Der Eingangstransformator $T_1$ dient daher zur Anpassung der $\qty{50}{\ohm}$ an die niederohmige Eingangsimpedanz der Transistoren. Und der Ausgangstransformator $T_2$ dient zur Anpassung der niederohmigen Ausgangsimpedanz der Transistoren an die $\qty{50}{\ohm}$ des nachfolgenden Senders.
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				Bei dieser Frage darf man sich nicht von der bekannten Eigenschaft eines Feldeffekttransistors täuschen lassen: Bei Gleichspannung ist das Gate praktisch stromlos und besitzt daher eine sehr hohe Eingangsimpedanz. Bei hohen Frequenzen spielen jedoch die parasitären Kapazitäten des Transistors eine wichtige Rolle, insbesondere die Kapazitäten zwischen Gate und Source sowie zwischen Gate und Drain. Ihr kapazitiver Blindwiderstand wird mit steigender Frequenz kleiner, sodass am Gate ein HF-Strom fließen kann. Bei HF-Leistungstransistoren kann die Eingangsimpedanz deshalb deutlich niedriger sein als man es von der Gleichstrombetrachtung eines FETs erwarten würde. Der Eingangstransformator $T_1$ dient daher zur Anpassung der $\qty{50}{\ohm}$ an die niederohmige Eingangsimpedanz der Transistoren. Und der Ausgangstransformator $T_2$ dient zur Anpassung der niederohmigen Ausgangsimpedanz der Transistoren an die $\qty{50}{\ohm}$ des nachfolgenden Senders.