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fix: bug in text (Zammad. #20392198)

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Matthias Jung
2026-02-07 01:09:15 +01:00
parent 0691f1e8d5
commit 7503b170c0
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contents/sections/transistor_1.md
+8 -2
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@@ -47,11 +47,17 @@ Die minimale Spannung am Emitter-Basis-Übergang hängt vom verwendeten Halbleit
[picture:863:e_npn_i_u:Ströme uns Spannungen an einem npn-Transistor]
</margin>
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Die Ströme und Spannungen an einem npn-Transistor sind in der Abbildung [ref:e_npn_i_u] dargestellt. Die Basis-Emitter-Spannung $U_{BE}$ kennen wir bereits, ebenso die Kollektor-Basis-Spannung $U_{CB}$. Der Kollektorstrom $I_C$ hängt exponentiell von der Basis-Emitter-Spannung ab:
$I_C = I_0\ e^{\frac{U_{BE}}{U_T}}$
$I_C = I_\text{S}\ e^{\frac{U_{BE}}{U_T}}$
$U_T$ ist bei Raumtemperatur etwa 26 mV.
$U_T$ ist bei Raumtemperatur etwa 26 mV.
<indepth>
$I_\text{S}$ bezeichnet den sogenannten Sättigungs-Sperrstrom eines Bipolartransistors. Er ist ein charakteristischer Bauteilparameter und steht in engem Zusammenhang mit der Emitter-Basis-Diode. Dabei handelt es sich um einen sehr kleinen Leckstrom, der auch dann durch den Transistor fließt, wenn die Basis-Emitter-Strecke nicht leitend ist.
</indepth>
Der Basisstrom $I_B$ hat in weiten Betriebsbereichen die gleiche Spannungsabhängig wie der Kollektorstrom, sodass das Verhältnis von Kollektorstrom und Basisstrom konstant ist: