refactor: use \qty and \unit in slides of chapter 8 "Bauelemente"

contents/slides/diode_1.md

@@ -25,11 +25,11 @@
 * Je nach Basis des chemischen Elements ist die Schwellenspannung unterschiedlich hoch
 </left>
 <right>
-* Germanium: 0,2 V-0,4 V
+* Germanium: $\qtyrange{0,2}{0,4}{\volt}$
-* Silizium: 0,6 V-0,8 V
+* Silizium: $\qtyrange{0,6}{0,8}{\volt}$
-* LED (Rot): 1,6 V-2,2 V
+* LED (Rot): $\qtyrange{1,6}{2,2}{\volt}$
-* LED (Gelb, Grün): 1,9 V-2,5 V
+* LED (Gelb, Grün): $\qtyrange{1,9}{2,5}{\volt}$
-* LED (Blau, Weiß): 2,7 V-3,5 V
+* LED (Blau, Weiß): $\qtyrange{2,7}{3,5}{\volt}$
 </right>
 
 ---
@@ -39,7 +39,7 @@
 ## Schottky-Diode
 
 * Erlaubt eine hohe Schaltfrequenz
-* Nur eine sehr niedrige Schwellenspannung von 0,4 V bis unter 0,1 V ist nötig
+* Nur eine sehr niedrige Schwellenspannung von $\qty{0,4}{\volt}$ bis unter $\qty{0,1}{\volt}$ ist nötig
 
 ---
 [question:EC504]
@@ -62,7 +62,7 @@
 <left>
 * Eine Diode leitet immer dann, wenn die Spannung an der Anode um die Schwellenspannung positiver ist als an der Kathode
 * Gilt auch für negative Spannungen
-* In der Prüfung kommen nur Siliziumdioden mit 0,7 V Schwellenspannung vor
+* In der Prüfung kommen nur Siliziumdioden mit $\qty{0,7}{\volt}$ Schwellenspannung vor
 </left>
 <right>
 [picture:113:e_leitende_siliziumdiode:Spannungen an einer leitenden Siliziumdiode]
@@ -117,8 +117,8 @@
 ## Z-Diode
 
 <left>
-* Normalerweise liegt die maximale Sperrspannung einer Diode bei ca. 1000 V
+* Normalerweise liegt die maximale Sperrspannung einer Diode bei ca. $\qty{1000}{\volt}$
-* Bei Z-Dioden erfolgt ein Spannungsdurchbruch je nach Bauart zwischen 3 V und 100 V
+* Bei Z-Dioden erfolgt ein Spannungsdurchbruch je nach Bauart zwischen $\qty{3}{\volt}$ und $\qty{100}{\volt}$
 * Dienen zur Spannungsstabilisierung
 </left>
 <right>
@@ -156,8 +156,8 @@
 </left>
 <right>
 * $U_Z$ ist die Spannung, auf die die Z-Diode stabiliert
-* $U_V = U_1 - U_Z = 13,8\,V - 5\,V = 8,8\,V$
+* $U_V = U_1 - U_Z = \qty{13,8}{\volt} - \qty{5}{\volt} = \qty{8,8}{\volt}$
-* $R_V = \frac{U_V}{I} = \frac{8,8\,V}{30\,mA} \approx 293\,\Omega$
+* $R_V = \frac{U_V}{I} = \frac{\qty{8,8}{\volt}}{\qty{30}{\milli\ampere}} \approx \qty{293}{\ohm}$
 </right>
 ---
 [question:EC521]

contents/slides/diode_2.md

@@ -11,7 +11,7 @@
 * Bei höherer Temperatur gibt es mehr freie Elektronen
 * Der Sättigungsstrom steigt mit steigender Temperatur
 * Aber die Beweglichkeit ändert sich
-* Dadurch sinkt die Durchlassspannung (mit ca. −2mV/°C)
+* Dadurch sinkt die Durchlassspannung (mit ca. $\qty{-2}{\milli\volt\per\degreeCelsius}$)
 
 ---
 [question:AC403]
@@ -36,8 +36,8 @@ Je negativer die Diodenspannung, umso mehr dehnt sich die Raumladungszone aus un
 
 * Antiparallele Dioden
 * Begrenzung der Amplitude einer Wechselspannung
-* Silizium: ca. 0,6V Schwellspannung
+* Silizium: ca. $\qty{0,6}{\volt}$ Schwellspannung
-* Germanium: ca. 0,3V Schwellspannung
+* Germanium: ca. $\qty{0,3}{\volt}$ Schwellspannung
 * → *Clipping*
 
 <note>

contents/slides/integrierte_schaltkreise.md

@@ -8,7 +8,7 @@
 ## Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC)
 
 * Breitbandiger Verstärker mit wenigen Bauteilen
-* Typischerweise 50Ω Ein- und Ausgangsimpedanz
+* Typischerweise $\qty{50}{\ohm}$ Ein- und Ausgangsimpedanz
 * Vereint aktive und passive Bauelemente
 
 ---
@@ -37,41 +37,41 @@
 [question:AF425]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
+* gegeben: $U_{\textrm{D}} = \qty{4}{\volt}$
-* gegeben: $U_{\textrm{CC}} = 13,5V$
+* gegeben: $U_{\textrm{CC}} = \qty{13,5}{\volt}$
-* gegeben: $I_{\textrm{D}} = 10mA$
+* gegeben: $I_{\textrm{D}} = \qty{10}{\milli\ampere}$
 * gesucht: $R_{\textrm{BIAS}}$
 
 <fragment>
-$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} - U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{13,5V -4V}{10mA} = 950\Omega$
+$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} - U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{\qty{13,5}{\volt} - \qty{4}{\volt}}{\qty{10}{\milli\ampere}} = \qty{950}{\ohm}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AF426]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
+* gegeben: $U_{\textrm{D}} = \qty{4}{\volt}$
-* gegeben: $U_{\textrm{CC}} = 13,8V$
+* gegeben: $U_{\textrm{CC}} = \qty{13,8}{\volt}$
-* gegeben: $I_{\textrm{D}} = 15mA$
+* gegeben: $I_{\textrm{D}} = \qty{15}{\milli\ampere}$
 * gesucht: $R_{\textrm{BIAS}}$
 
 <fragment>
-$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} - U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{13,8V -4V}{15mA} = 653,3\Omega \rightarrow 680\Omega$
+$R_{\textrm{BIAS}} = \frac{U_{\textrm{CC}} - U_{\textrm{D}}}{I_{\textrm{D}}} = \frac{\qty{13,8}{\volt} - \qty{4}{\volt}}{\qty{15}{\milli\ampere}} = \qty{653,3}{\ohm} \rightarrow \qty{680}{\ohm}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AF427]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $U = 9V$
+* gegeben: $U = \qty{9}{\volt}$
-* gegeben: $R_{\textrm{BIAS}} = 470\Omega$
+* gegeben: $R_{\textrm{BIAS}} = \qty{470}{\ohm}$
-* gegeben: $U_{\textrm{D}} = 4V$
+* gegeben: $U_{\textrm{D}} = \qty{4}{\volt}$
 * gesucht: $P$
 * Ansatz: Strom durch $R_{\textrm{BIAS}}$ ist überall gleich, weil kein anderer ohmschmer Verbraucher in der Schaltung vorhanden ist
 
 <fragment>
-$I_{\textrm{D}} = \frac{U_{\textrm{BIAS}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{U-U_{\textrm{D}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{9V-4V}{470\Omega} = 10,64mA$
+$I_{\textrm{D}} = \frac{U_{\textrm{BIAS}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{U-U_{\textrm{D}}}{R_{\textrm{BIAS}}} = \frac{\qty{9}{\volt}-\qty{4}{\volt}}{\qty{470}{\ohm}} = \qty{10,64}{\milli\ampere}$
 </fragment>
 <fragment>
-$P = U_{\textrm{D}} \cdot I_{\textrm{D}} = 4V \cdot 10,64mA \approx 43mW$ 
+$P = U_{\textrm{D}} \cdot I_{\textrm{D}} = \qty{4}{\volt} \cdot \qty{10,64}{\milli\ampere} \approx \qty{43}{\milli\watt}$
 </fragment>

contents/slides/kondensator_1.md

@@ -6,7 +6,7 @@
 $C = \dfrac{Q}{U}$
 
 * mit $Q$ als elektrische Ladung
-* Einheit: $\frac{As}{V}$ bzw. Farad $F$
+* Einheit: $\unit{\ampere\second\per\volt}$ bzw. Farad $\unit{\farad}$
 * Die Kapazität ist die elektrische Ladung pro Volt
 
 <note>
@@ -26,7 +26,7 @@ $C = \dfrac{\varepsilon_0 \cdot \varepsilon_r \cdot A}{d}$
 * &rarr; Kapazität ist größer bei größerer Fläche, kleinem Abstand oder anderem Dielektrikum
 </left>
 <right>
-* $\varepsilon_0 = 0,855 \cdot 10^{-11}\frac{As}{Vm}$: elektrische Feldkonstante
+* $\varepsilon_0 = \qty{0,855e-11}{\ampere\second\per\volt\meter}$: elektrische Feldkonstante
 * $\varepsilon_r$: relative Dielektrizitätszahl, abhängig vom Dielektrikum (ohne Einheit)
 * $A$: Fläche der Kondensatorplatten
 * $d$: Abstand der Platten

contents/slides/kondensator_2.md

@@ -2,7 +2,7 @@
 [photo:268:a_I eilt vor:Phasenverschiebung am Kondensator zwischen Spannung und Strom]
 </left>
 <right>
-* Phasenverschiebung von 90°
+* Phasenverschiebung von $\qty{90}{\degree}$
 * Strom eilt der Spannung voraus
 </right>
 <note>
@@ -59,47 +59,47 @@ Ein VNA misst die Veränderung des Blindwiderstandes $X_C$ in Abhängigkeit der
 [question:AC104]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $C = 10pF$
+* gegeben: $C = \qty{10}{\pico\farad}$
-* gegeben: $f = 100MHz$
+* gegeben: $f = \qty{100}{\mega\hertz}$
 * gesucht: $X_{\textrm{C}}$
 
 <fragment>
-$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 10pF}\\ &\approx 159\Omega \end{split}$
+$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot \qty{100}{\mega\hertz} \cdot \qty{10}{\pico\farad}}\\ &\approx \qty{159}{\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC105]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $C = 50pF$
+* gegeben: $C = \qty{50}{\pico\farad}$
-* gegeben: $f = 145MHz$
+* gegeben: $f = \qty{145}{\mega\hertz}$
 * gesucht: $X_{\textrm{C}}$
 
 <fragment>
-$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 145MHz \cdot 50pF}\\ &\approx 22\Omega \end{split}$
+$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot \qty{145}{\mega\hertz} \cdot \qty{50}{\pico\farad}}\\ &\approx \qty{22}{\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 ---
 [question:AC106]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $C = 100pF$
+* gegeben: $C = \qty{100}{\pico\farad}$
-* gegeben: $f = 100MHz$
+* gegeben: $f = \qty{100}{\mega\hertz}$
 * gesucht: $X_{\textrm{C}}$
 
 <fragment>
-$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 100MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 15,9\Omega \end{split}$
+$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot \qty{100}{\mega\hertz} \cdot \qty{100}{\pico\farad}}\\ &\approx \qty{15,9}{\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC107]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $C = 100pF$
+* gegeben: $C = \qty{100}{\pico\farad}$
-* gegeben: $f = 435MHz$
+* gegeben: $f = \qty{435}{\mega\hertz}$
 * gesucht: $X_{\textrm{C}}$
 
 <fragment>
-$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 435MHz \cdot 100pF}\\ &\approx 3,7\Omega \end{split}$
+$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot C}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot \qty{435}{\mega\hertz} \cdot \qty{100}{\pico\farad}}\\ &\approx \qty{3,7}{\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -107,20 +107,20 @@ $\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} = \frac{1}{2\pi \cdot
 ---
 #### Lösungsweg
 <left>
-* gegeben: $U = 16V$
+* gegeben: $U = \qty{16}{\volt}$
-* gegeben: $I = 32mA$
+* gegeben: $I = \qty{32}{\milli\ampere}$
 </left>
 <right>
-* gegeben: $f = 50Hz$
+* gegeben: $f = \qty{50}{\hertz}$
 * gesucht: $C$
 </right>
 
 <fragment>
-$X_{\textrm{C}} = \frac{U}{I} = \frac{16V}{32mA} = 500\Omega$
+$X_{\textrm{C}} = \frac{U}{I} = \frac{\qty{16}{\volt}}{\qty{32}{\milli\ampere}} = \qty{500}{\ohm}$
 </fragment>
 
 <fragment>
-$\begin{split} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} \\ \Rightarrow C &= \frac{1}{\omega \cdot X_{\textrm{C}}} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot X_{\textrm{C}}}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot 50Hz \cdot 500\Omega}\\ &\approx 6,37\mu F\end{split}$
+$\begin{align} X_{\textrm{C}} &= \frac{1}{\omega \cdot C} \\ \Rightarrow C &= \frac{1}{\omega \cdot X_{\textrm{C}}} = \frac{1}{2\pi \cdot f \cdot X_{\textrm{C}}}\\ &= \frac{1}{2\pi \cdot \qty{50}{\hertz} \cdot \qty{500}{\ohm}}\\ &\approx \qty{6,37}{\micro\farad}\end{align}$
 </fragment>
 
 ---

contents/slides/spule_1.md

@@ -21,7 +21,7 @@
 $L = \dfrac{N\cdot \Phi}{I}$
 
 * mit $N$ Anzahl Windungen und $\Phi$ als magnetischer Fluss
-* Einheit: $\frac{Vs}{A}$ bzw. Henry $H$
+* Einheit: $\unit{\volt\second\per\ampere}$ bzw. Henry $\unit{\henry}$
 * Die Induktivität ist der magnetische Fluss pro Ampere
 
 <note>
@@ -40,7 +40,7 @@ $L = \dfrac{\mu_0 \cdot \mu_r \cdot N^2 \cdot A_S}{l}$
 * &rarr; Induktivität ist viel größer bei höherer Windungszahl
 </left>
 <right>
-* $\mu_0 = 1,2566 \cdot 10^{-6}\frac{H}{m}$: magnetische Feldkonstante
+* $\mu_0 = \qty{1,2566e-6}{\henry\per\meter}$: magnetische Feldkonstante
 * $\mu_r$: relative Permeabilität, abhängig vom Spulenkern (Luft ≈ 1)
 * $N$: Windungszahl
 * $A_S$: Querschnittsfläche der Spule

contents/slides/spule_2.md

@@ -2,7 +2,7 @@
 [photo:267:a_U_eilt_vor:Phasenverschiebung an einer Spule zwischen Spannung und Strom]
 </left>
 <right>
-* Phasenverschiebung von 90°
+* Phasenverschiebung von $\qty{90}{\degree}$
 * Spannung eilt dem Strom voraus
 </right>
 <note>
@@ -52,12 +52,12 @@ $X_{\textrm{L}} = \omega \cdot L = 2\pi \cdot f \cdot L$
 [question:AC204]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $L = 3\mu H$
+* gegeben: $L = \qty{3}{\micro\henry}$
-* gegeben: $f = 100MHz$
+* gegeben: $f = \qty{100}{\mega\hertz}$
 * gesucht: $X_{\textrm{L}}$
 
 <fragment>
-$\begin{split} X_{\textrm{L}} &= \omega \cdot L = 2\pi \cdot f \cdot L\\ &= 2\pi \cdot 100MHz \cdot 3\mu H\\ &\approx 1885\Omega \end{split}$
+$\begin{split} X_{\textrm{L}} &= \omega \cdot L = 2\pi \cdot f \cdot L\\ &= 2\pi \cdot \qty{100}{\mega\hertz} \cdot \qty{3}{\micro\henry}\\ &\approx \qty{1885}{\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -95,11 +95,11 @@ Deshalb werden (Ring-)Kerne eingesetzt
 ---
 #### Lösungsweg
 * gegeben: $N = 14$
-* gegeben: $A_{\textrm{L}} = 1,5nH$
+* gegeben: $A_{\textrm{L}} = \qty{1,5}{\nano\henry}$
 * gesucht: $L$
 
 <fragment>
-$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 14^2 \cdot 1,5nH\\ &= 0,294\mu H \end{split}$
+$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 14^2 \cdot \qty{1,5}{\nano\henry}\\ &= \qty{0,294}{\micro\henry} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -107,35 +107,35 @@ $\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 14^2 \cdot 1,5nH\\ &= 0,294\mu
 ---
 #### Lösungsweg
 * gegeben: $N = 300$
-* gegeben: $A_{\textrm{L}} = 1250nH$
+* gegeben: $A_{\textrm{L}} = \qty{1250}{\nano\henry}$
 * gesucht: $L$
 
 <fragment>
-$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 300^2 \cdot 1250nH\\ &= 112,5mH \end{split}$
+$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ &= 300^2 \cdot \qty{1250}{\nano\henry}\\ &= \qty{112,5}{\milli\henry} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC207]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $L = 2mH$
+* gegeben: $L = \qty{2}{\milli\henry}$
-* gegeben: $A_{\textrm{L}} = 250nH$
+* gegeben: $A_{\textrm{L}} = \qty{250}{\nano\henry}$
 * gesucht: $N$
 
 <fragment>
-$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{2mH}{250nH}} \\ &= 89\ \textrm{Windungen} \end{split}$
+$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{\qty{2}{\milli\henry}}{\qty{250}{\nano\henry}}} \\ &= 89\,\text{Windungen} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC208]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $L = 12\mu H$
+* gegeben: $L = \qty{12}{\micro\henry}$
-* gegeben: $A_{\textrm{L}} = 30nH$
+* gegeben: $A_{\textrm{L}} = \qty{30}{\nano\henry}$
 * gesucht: $N$
 
 <fragment>
-$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{12\mu H}{30nH}} \\ &= 20\ \textrm{Windungen} \end{split}$
+$\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}}}} = \sqrt{\frac{\qty{12}{\micro\henry}}{\qty{30}{\nano\henry}}} \\ &= 20\,\text{Windungen} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -155,7 +155,7 @@ $\begin{split} L &= N^2 \cdot A_{\textrm{L}}\\ N &= \sqrt{\frac{L}{A_{\textrm{L}
 * Kann nicht mit einem Ohm-Meter gemessen werden
 * Spule in der Funktechnik &rarr; *Impedanz*
 * Antennenimpedanz, Eingangs- und Ausgangsimpedanz, Impedanzwandler, …
-* Impedanz Z in Ω
+* Impedanz Z in $\unit{\ohm}$
 
 ---
 <left>

contents/slides/transistor_1.md

@@ -88,7 +88,7 @@ Je Art des bipolaren Transistor hat man verschiedene Polaritäten.
 * Bei einem NPN-Transistor benötigt man zum Durchschalten eine positive Steuerspannung.
 * Bei einem PNP-Transistor benötigt man zum Durchschalten eine negative Steuerspannung.
 
-Die Steuerspannung liegt wie bei einer Siliziumdiode bei etwa 0,6 V.
+Die Steuerspannung liegt wie bei einer Siliziumdiode bei etwa $\qty{0,6}{\volt}$.
 
 ---
 
@@ -108,8 +108,8 @@ Da neben dem Kollektorstrom auch der Basisstrom durch den Transistor fließt, fl
 Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im positiven Potential vor?
 Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
 
-* Basis +2 V und Emitter +1,4 V<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist positiv und beträgt +0,6 V
+* Basis $\qty{+2}{\volt}$ und Emitter $\qty{+1,4}{\volt}$<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist positiv und beträgt $\qty{+0,6}{\volt}$
-* Basis -5,6 V und Emitter -6,2 V<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist positiv und beträgt +0,6 V
+* Basis $\qty{-5,6}{\volt}$ und Emitter $\qty{-6,2}{\volt}$<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist positiv und beträgt $\qty{+0,6}{\volt}$
 
 ---
 
@@ -131,8 +131,8 @@ $U_{ BE } = U_{ B } - U_{ E }$
 Ist die Basis-Emitter-Spannung ausreichend und liegt sie im negativen Potential vor?
 Hier muss man auf die Vorzeichen achten und bei negativen Vorzeichen umdenken, Beispiele:
 
-* Basis +5,6 V und Emitter +6,2 V<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist ist negativ und beträgt -0,6 V
+* Basis $\qty{+5,6}{\volt}$ und Emitter $\qty{+6,2}{\volt}$<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$
-* Basis -2 V und Emitter -1,4 V<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt -0,6 V
+* Basis $\qty{-2}{\volt}$ und Emitter $\qty{-1,4}{\volt}$<br/> &rArr; Die Basis-Emitter-Spannung ist negativ und beträgt $\qty{-0,6}{\volt}$
 
 ---
 

contents/slides/transistor_2.md

@@ -49,17 +49,17 @@ Höherer Faktor benötigt kleineren Basistrom zur Steuerung eines größeren Kol
 * Für die Spannung an $R_1$ muss der Transistorverlust abgezogen werden
 
 ---
-* gegeben: $U = 12V$
+* gegeben: $U = \qty{12}{\volt}$
-* gegeben: $I_{\textrm{C}} = 5mA$
+* gegeben: $I_{\textrm{C}} = \qty{5}{\milli\ampere}$
 * gegeben: $B = 298$
-* gegeben: $U_{\textrm{BE}} = 0,6V$
+* gegeben: $U_{\textrm{BE}} = \qty{0,6}{\volt}$
 * gesucht: $R_1$
 
 <fragment>
-$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{5mA}{298} = 16,779\mu A$
+$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{\qty{5}{\milli\ampere}}{298} = \qty{16,779}{\micro\ampere}$
 </fragment>
 <fragment>
-$R_1 = \frac{U-U_{\textrm{BE}}}{I_{\textrm{B}}} = \frac{12V - 0,6V}{16,779\mu A} \approx 680k\Omega$
+$R_1 = \frac{U-U_{\textrm{BE}}}{I_{\textrm{B}}} = \frac{\qty{12}{\volt} - \qty{0,6}{\volt}}{\qty{16,779}{\micro\ampere}} \approx \qty{680}{\kilo\ohm}$
 </fragment>
 
 <note>
@@ -87,27 +87,27 @@ Kollektorstrom hängt exponentiell von der Basis-Emitter-Spannung ab; Toleranz d
 --- style="font-size: smaller;"
 #### Lösungsweg
 <left>
-* gegeben: $U = 10V$
+* gegeben: $U = \qty{10}{\volt}$
-* gegeben: $I_{\textrm{C}} = 2mA$
+* gegeben: $I_{\textrm{C}} = \qty{2}{\milli\ampere}$
 * gegeben: $B = 200$
 </left>
 <right>
-* gegeben: $U_{\textrm{R2}} = 0,6$
+* gegeben: $U_{\textrm{R2}} = \qty{0,6}{\volt}$
 * gegeben: $I_{\textrm{R2}} = 10 \cdot I_{\textrm{B}}$
 * gesucht: $R_1$
 </right>
 
 <fragment>
-$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
+$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{\qty{2}{\milli\ampere}}{200} = \qty{10}{\micro\ampere}$
 </fragment>
 <fragment>
-$U_{\textrm{R1}} = U - U_{\textrm{R2}} = 10V - 0,6V = 9,4V$
+$U_{\textrm{R1}} = U - U_{\textrm{R2}} = \qty{10}{\volt} - \qty{0,6}{\volt} = \qty{9,4}{\volt}$
 </fragment>
 <fragment>
-$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
+$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = \qty{110}{\micro\ampere}$
 </fragment>
 <fragment>
-$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{9,4V}{110\mu A} \approx 85,5k\Omega$
+$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{\qty{9,4}{\volt}}{\qty{110}{\micro\ampere}} \approx \qty{85,5}{\kilo\ohm}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -121,31 +121,31 @@ $R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{9,4V}{110\mu A} \approx 8
 
 --- style="font-size: smaller;"
 <left>
-* gegeben: $U = 10V$
+* gegeben: $U = \qty{10}{\volt}$
-* gegeben: $I_{\textrm{C}} = 2mA$
+* gegeben: $I_{\textrm{C}} = \qty{2}{\milli\ampere}$
 * gegeben: $B = 200$
 </left>
 <right>
-* gegeben: $U_{\textrm{BE}} = 0,6V$
+* gegeben: $U_{\textrm{BE}} = \qty{0,6}{\volt}$
-* gegeben: $U_{\textrm{RE}} = 1V$
+* gegeben: $U_{\textrm{RE}} = \qty{1}{\volt}$
 * gegeben: $I_{\textrm{R2}} = 10 \cdot I_{\textrm{B}}$
 </right>
 * gesucht: $R_1$
 
 <fragment>
-$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{2mA}{200} = 10\mu A$
+$B = \frac{I_{\textrm{C}}}{I_{\textrm{B}}} \Rightarrow I_{\textrm{B}} = \frac{I_{\textrm{C}}}{B} = \frac{\qty{2}{\milli\ampere}}{200} = \qty{10}{\micro\ampere}$
 </fragment>
 <fragment>
-$U_{\textrm{R2}} = U_{\textrm{BE}} + U_{R_{\textrm{E}}} = 0,6V + 1V = 1,6V$
+$U_{\textrm{R2}} = U_{\textrm{BE}} + U_{R_{\textrm{E}}} = \qty{0,6}{\volt} + \qty{1}{\volt} = \qty{1,6}{\volt}$
 </fragment>
 <fragment>
-$U_{\textrm{R1}} = U - U_{\textrm{R2}} = 10V - 1,6V = 8,4V$
+$U_{\textrm{R1}} = U - U_{\textrm{R2}} = \qty{10}{\volt} - \qty{1,6}{\volt} = \qty{8,4}{\volt}$
 </fragment>
 <fragment>
-$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = 110\mu A$
+$I_{\textrm{R1}} = I_{\textrm{B}} + I_{\textrm{R2}} = I_{\textrm{B}} + 10 \cdot I_{\textrm{B}} = \qty{110}{\micro\ampere}$
 </fragment>
 <fragment>
-$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{8,4V}{110\mu A} \approx 76,4k\Omega$
+$R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{\qty{8,4}{\volt}}{\qty{110}{\micro\ampere}} \approx \qty{76,4}{\kilo\ohm}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -165,7 +165,7 @@ $R_1 = \frac{U_{\textrm{R1}}}{I_{\textrm{R1}}} = \frac{8,4V}{110\mu A} \approx 7
 * $R_2$ ist stromlos &rarr; Basis ist über $R_1$ ist mit der Betriebsspannung verbunden
 * Aufgrund der Dimensionierung ist der Basisstrom nun 11-fach höher als geplant
 * Kollektorstrom wird stark ansteigen &rarr; Spannungsabfall an $R_{\textrm{C}}$ steigt stark
-* $U_{\textrm{CE}}$ sinkt auf den Sättigungswert von ca. 0,1V
+* $U_{\textrm{CE}}$ sinkt auf den Sättigungswert von ca. $\qty{0,1}{\volt}$
 
 ---
 ## Feldeffekttransistor (FET)
@@ -246,16 +246,16 @@ MOSFET: metal oxide semiconductor FET
 #### Lösungsweg
 
 <left>
-* gegeben: $U_{\textrm{B}} = 44V$
+* gegeben: $U_{\textrm{B}} = \qty{44}{\volt}$
-* gegeben: $R_1 = 10k\Omega$
+* gegeben: $R_1 = \qty{10}{\kilo\ohm}$
-* gegeben: $R_2 = 1k\Omega$
+* gegeben: $R_2 = \qty{1}{\kilo\ohm}$
-* gegeben: $R_3 = 2,2k\Omega$
+* gegeben: $R_3 = \qty{2,2}{\kilo\ohm}$
 * gesucht: $U_{\textrm{GS}}$
 * Ansatz: Unbelasteter Spannungsteiler über $R_1$ und $R_2$, mit $U_{\textrm{GS}} = U_{\textrm{R2}}$
 </left>
 <right>
 <fragment>
-$\begin{split} \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2}\\ \Rightarrow U_{\textrm{R2}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2} \cdot U_{\textrm{G}}\\ &= \frac{1k\Omega}{10k\Omega+1k\Omega} \cdot 44V\\ &= \frac{1}{11} \cdot 44V = 4V \end{split}$
+$\begin{split} \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2}\\ \Rightarrow U_{\textrm{R2}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2} \cdot U_{\textrm{G}}\\ &= \frac{\qty{1}{\kilo\ohm}}{\qty{10}{\kilo\ohm}+\qty{1}{\kilo\ohm}} \cdot \qty{44}{\volt}\\ &= \frac{1}{11} \cdot \qty{44}{\volt} = \qty{4}{\volt} \end{split}$
 </fragment>
 </right>
 
@@ -265,16 +265,16 @@ $\begin{split} \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}} &= \frac{R_2}{R_1+R_2}\\ \
 #### Lösungsweg
 
 <left>
-* gegeben: $U_{\textrm{B}} = 44V$
+* gegeben: $U_{\textrm{B}} = \qty{44}{\volt}$
-* gegeben: $R_1 = 10k\Omega$
+* gegeben: $R_1 = \qty{10}{\kilo\ohm}$
-* gegeben: $R_3 = 2,2k\Omega$
+* gegeben: $R_3 = \qty{2,2}{\kilo\ohm}$
-* gegeben: $U_{\textrm{GS}} = U_{\textrm{R2}} = 2,8V$
+* gegeben: $U_{\textrm{GS}} = U_{\textrm{R2}} = \qty{2,8}{\volt}$
 * gegeben: $U_{\textrm{B}} = U_{\textrm{R1}} + U_{\textrm{R2}}$
 * gesucht: $R_2$
 </left>
 <right>
 <fragment>
-$\begin{split} \frac{U_{\textrm{R1}}}{U_{\textrm{R2}}} &= \frac{R_1}{R_2}\\ \Rightarrow R_2 &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{R1}}}\\ &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}-U_{\textrm{GS}}}\\ &= 10k\Omega \cdot \frac{2,8V}{44V-2,8V}\\ &\approx 680\Omega \end{split}$
+$\begin{split} \frac{U_{\textrm{R1}}}{U_{\textrm{R2}}} &= \frac{R_1}{R_2}\\ \Rightarrow R_2 &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{R1}}}\\ &= R_1 \cdot \frac{U_{\textrm{R2}}}{U_{\textrm{B}}-U_{\textrm{GS}}}\\ &= \qty{10}{\kilo\ohm} \cdot \frac{\qty{2,8}{\volt}}{\qty{44}{\volt}-\qty{2,8}{\volt}}\\ &\approx \qty{680}{\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 </right>
 ---
@@ -282,12 +282,12 @@ $\begin{split} \frac{U_{\textrm{R1}}}{U_{\textrm{R2}}} &= \frac{R_1}{R_2}\\ \Rig
 ---
 #### Lösungsweg
 
-* gegeben: $R_{\textrm{DSon}} = 4m\Omega$
+* gegeben: $R_{\textrm{DSon}} = \qty{4}{\milli\ohm}$
-* gegeben: $I = 25A$
+* gegeben: $I = \qty{25}{\ampere}$
 * gesucht: $P$
 
 <fragment>
-$P = I^2 \cdot R = 25^2A \cdot 4m\Omega = 2,5W$
+$P = I^2 \cdot R = (\qty{25}{\ampere})^2 \cdot \qty{4}{\milli\ohm} = \qty{2,5}{\watt}$
 </fragment>
 
 <note>

contents/slides/uebertrager_2.md

@@ -20,7 +20,7 @@ $ü = \frac{N_P}{N_S} = \frac{U_P}{U_S} = \frac{I_S}{I_P}$
 <fragment>
 Das Verhältnis der Primär- zur Sekundärimpedanz ist wie die obigen Verhältnisse zum Quadrat:
 
-$ü = \frac{Z_P}{Z_S} = (\frac{N_P}{N_S})^2 = (\frac{U_P}{U_S})^2 = (\frac{I_S}{I_P})^2$
+$ü = \frac{Z_P}{Z_S} = \left(\frac{N_P}{N_S}\right)^2 = \left(\frac{U_P}{U_S}\right)^2 = \left(\frac{I_S}{I_P}\right)^2$
 </fragment>
 
 <fragment>
@@ -36,60 +36,60 @@ Die letzte Formel steht so in der Formelsammlung
 [question:AC302]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $U_P = 230V$
+* gegeben: $U_P = \qty{230}{\volt}$
-* gegeben: $U_S = 6V$
+* gegeben: $U_S = \qty{6}{\volt}$
-* gegeben: $I_S = 1,15A$
+* gegeben: $I_S = \qty{1,15}{\ampere}$
 * gesucht: $I_P$
 
 <fragment>
-$\begin{split} \frac{U_P}{U_S} &= \frac{I_S}{I_P} \\ \Rightarrow I_P &= \frac{I_S \cdot U_S}{U_P} = \frac{1,15A \cdot 6V}{230V} \\ &= 30mA \end{split}$
+$\begin{split} \frac{U_P}{U_S} &= \frac{I_S}{I_P} \\ \Rightarrow I_P &= \frac{I_S \cdot U_S}{U_P} = \frac{\qty{1,15}{\ampere} \cdot \qty{6}{\volt}}{\qty{230}{\volt}} \\ &= \qty{30}{\milli\ampere} \end{split}$
 </fragment>
 ---
 [question:AC303]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $Z_S = 16k\Omega$
+* gegeben: $Z_S = \qty{16}{\kilo\ohm}$
 * gegeben: $ü = \frac{1}{4}$
 * gesucht: $Z_P$
 
 <fragment>
-$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 16k\Omega \\ &= \frac{16k\Omega}{16} = 1k\Omega \end{split}$
+$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 16k\Omega \\ &= \frac{\qty{16}{\kilo\ohm}}{16} = \qty{1}{\kilo\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC304]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $Z_S = 6,4k\Omega$
+* gegeben: $Z_S = \qty{6,4}{\kilo\ohm}$
 * gegeben: $ü = \frac{1}{4}$
 * gesucht: $Z_P$
 
 <fragment>
-$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot 6,4k\Omega \\ &= \frac{6,4k\Omega}{16} = 0,4k\Omega \end{split}$
+$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} \\ \Rightarrow Z_P &= ü^2 \cdot Z_S = \frac{1^2}{4^2} \cdot \qty{6,4}{\kilo\ohm} \\ &= \frac{\qty{6,4}{\kilo\ohm}}{16} = \qty{0,4}{\kilo\ohm} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC305]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $Z_P = 450\Omega$
+* gegeben: $Z_P = \qty{450}{\ohm}$
-* gegeben: $Z_S = 50\Omega$
+* gegeben: $Z_S = \qty{50}{\ohm}$
 * gesucht: $ü$
 
 <fragment>
-$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{450\Omega}{50\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{9}{1}} = \frac{3}{1} \end{split}$
+$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{\qty{450}{\ohm}}{\qty{50}{\ohm}}} \\ &= \sqrt{\frac{9}{1}} = \frac{3}{1} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
 [question:AC306]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $Z_P = 50\Omega$
+* gegeben: $Z_P = \qty{50}{\ohm}$
-* gegeben: $Z_S = 2,5k\Omega$
+* gegeben: $Z_S = \qty{2,5}{\kilo\ohm}$
 * gesucht: $ü$
 
 <fragment>
-$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{50\Omega}{2,5k\Omega}} \\ &= \sqrt{\frac{1}{50}} \approx \frac{1}{7} \end{split}$
+$\begin{split} ü &= \sqrt{\frac{Z_P}{Z_S}} = \sqrt{\frac{\qty{50}{\ohm}}{\qty{2,5}{\kilo\ohm}}} \\ &= \sqrt{\frac{1}{50}} \approx \frac{1}{7} \end{split}$
 </fragment>
 
 ---
@@ -114,21 +114,21 @@ Geschmolzene, selbstgebastelte BALUNs in Plastikgehäusen kommen häufiger vor,
 
 nach VDE
 
-* Frei verlegte Leiter aus Kupfer: $\frac{12A}{0,75mm^2}$
+* Frei verlegte Leiter aus Kupfer: $\frac{\qty{12}{\ampere}}{\qty{0,75}{\milli\meter\squared}}$
-* Schmelzsicherungen: bis zu $3000\frac{A}{mm^2}$
+* Schmelzsicherungen: bis zu $\qty{3000}{\ampere\per\milli\meter\squared}$
-* Transformatoren: $2,5\frac{A}{mm^2}$ (schlechte Wärmeabstrahlung der Wicklungen)
+* Transformatoren: $\qty{2,5}{\ampere\per\milli\meter\squared}$ (schlechte Wärmeabstrahlung der Wicklungen)
 
 ---
 [question:AC307]
 ---
 #### Lösungsweg
-* gegeben: $d = 0,5mm$
+* gegeben: $d = \qty{0,5}{\milli\meter}$
-* gegeben: Stromdichte $\frac{I}{A} = \frac{2,5A}{1mm^2}$
+* gegeben: Stromdichte $\frac{I}{A} = \frac{\qty{2,5}{\ampere}}{\qty{1}{\milli\meter\squared}}$
 * gesucht: $I_{max}$
 
 <fragment>
-$A_{Dr} = \frac{d^2 \cdot \pi}{4} = \frac{(0,5mm)^2 \cdot \pi}{4} \approx 0,196mm^2$
+$A_{Dr} = \frac{d^2 \cdot \pi}{4} = \frac{(\qty{0,5}{\milli\meter})^2 \cdot \pi}{4} \approx \qty{0,196}{\milli\meter\squared}$
 </fragment>
 <fragment>
-$I_{max} = \frac{I}{A} \cdot A_{Dr} = \frac{2,5A}{1mm^2} \cdot 0,196mm^2 = 0,49A$
+$I_{max} = \frac{I}{A} \cdot A_{Dr} = \frac{\qty{2,5}{\ampere}}{\qty{1}{\milli\meter\squared}} \cdot \qty{0,196}{\milli\meter\squared} = \qty{0,49}{\ampere}$
 </fragment>