refactor: transistor 2
This commit is contained in:
@@ -0,0 +1,9 @@
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Die Gate-Spannung wird durch den Spannungsteiler aus $R_1$ und $R_2$ bestimmt.
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Da das Gate eines FET keinen Strom aufnimmt, gilt:
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$ U_\mathrm{GS} = U_B \cdot \frac{R_2}{R_1 + R_2} $
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Einsetzen der Werte:
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$ U_\mathrm{GS} = \qty{44}{\volt} \cdot \frac{\qty{1}{\kilo\ohm}}{\qty{10}{\kilo\ohm} + \qty{1}{\kilo\ohm}} = \qty{44}{\volt} \cdot \frac{1}{11} = \qty{4}{\volt} $
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