* *Förstärkarklass A*: Kan förstärka hela signalen
* *Förstärkarklass B*: Halva signalen förstärks bra
* *Förstärkarklass A/B*: Kombination av A och B med förstärkning av något mer än halva signalen
* *Förstärkarklass C*: Mindre än halva signalen förstärks bra

<fragment>
Förstärkarklasserna bestäms av valet av arbetspunkt
</fragment>

<note>
Bokstavsbeteckningarna går tillbaka på en tidig systematisk klassificering av rörförstärkare och transistorförstärkare
</note>
---
<left>
[picture:377:a_kennlinien_transistor_arbeitspunkt:Karakteristik för en transistor med arbetspunkter]
</left>
<right>
* Transistorkarakteristiken visar sambandet mellan ingångssignal och utsignal
* Bas-emitter- eller gate-source-spänning och kollektor- eller drainström
* I linjära områden är ändringen proportionell
* Andra områden är olinjära
</right>
---
### Arbetspunkt

* Optimal drift vid optimalt val av arbetspunkt på karakteristiken
* Arbetspunkten fastställs av förspänningen på bas eller gate
* Förstärkningen verkar då kring den önskade arbetspunkten

---
### Vilström

* Vilströmmen följer av valet av arbetspunkt
* Flyter även utan ingångssignal
* Påverkar förstärkarens effektivitet
* Ökar den termiska förlusteffekten
* Minskar verkningsgraden

--- style="font-size: smaller;"
### AP1
<left>
[picture:377:a_kennlinien_transistor_arbeitspunkt:Karakteristik för en transistor med arbetspunkter]
</left>
<right>
* C-drift
* utan förspänning
* Vilström noll
* Verkningsgrad cirka $\qtyrange{80}{87}{\percent}$
* högt övertonsinnehåll
</right>
--- style="font-size: smaller;"
### AP2
<left>
[picture:377:a_kennlinien_transistor_arbeitspunkt:Karakteristik för en transistor med arbetspunkter]
</left>
<right>
* B-drift
* Låg förspänning tills kollektorströmmen sätter in
* Vilström nästan noll (låg)
* Verkningsgrad upp till $\qty{80}{\percent}$
* litet övertonsinnehåll
</right>
--- style="font-size: smaller;"
### AP3
<left>
[picture:377:a_kennlinien_transistor_arbeitspunkt:Karakteristik för en transistor med arbetspunkter]
</left>
<right>
* A/B-drift
* Högre förspänning än vid B-drift men lägre än vid A-drift
* Vilström större än vid B-drift men betydligt mindre än vid A-drift
* Verkningsgrad mellan $\qty{50}{\percent}$ och $\qty{80}{\percent}$
* litet övertonsinnehåll
</right>
--- style="font-size: smaller;"
### AP4
<left>
[picture:377:a_kennlinien_transistor_arbeitspunkt:Karakteristik för en transistor med arbetspunkter]
</left>
<right>
* A-drift
* Förspänningen vald så att vilströmmen når cirka $\qty{50}{\percent}$ av maximalt tillåtet värde
* Verkningsgrad cirka $\qty{40}{\percent}$
* mycket litet övertonsinnehåll
</right>
---
### Utgångseffekt

* Känner man arbetspunkten är verkningsgraden känd
* Räkna ut likströmseffekten
* Utgångseffekten är produkten av likströmseffekt och verkningsgrad

---
#### Lösningsgång
* givet: $U=\qty{50}{\volt}$
* givet: $I = \qty{2}{\ampere}$
* givet: $\eta_\text{A} \approx \qty{40}{\percent}$
* sökt: $P_\text{ut}$

<fragment>
$P_\text{in} = U \cdot I = \qty{50}{\volt} \cdot \qty{2}{\ampere} = \qty{100}{\watt}$
</fragment>
<fragment>
$\eta_\text{A} = \frac{P_\text{ut}}{P_\text{in}} \Rightarrow P_\text{ut} = \eta_\text{A} \cdot P_\text{in} = 0,4 \cdot \qty{100}{\watt} = \qty{40}{\watt}$
</fragment>
---
#### Lösningsgång
* givet: $U=\qty{50}{\volt}$
* givet: $I = \qty{2}{\ampere}$
* givet: $\eta_\text{C} \approx \qty{85}{\percent}$
* sökt: $P_\text{ut}$

<fragment>
$P_\text{in} = U \cdot I = \qty{50}{\volt} \cdot \qty{2}{\ampere} = \qty{100}{\watt}$
</fragment>
<fragment>
$\eta_\text{C} = \frac{P_\text{ut}}{P_\text{in}} \Rightarrow P_\text{ut} = \eta_\text{C} \cdot P_\text{in} = 0,85 \cdot \qty{100}{\watt} = \qty{85}{\watt}$
</fragment>
---
### SSB-drift

* Linjär förstärkning behövs
* Förstärkning i A-, A/B- eller B-drift
* Vid översteg blir signalen förvrängd $\rightarrow$ splatter på intilliggande frekvenser

---
### C-drift

* Olinjär arbetspunkt alstrar övertoner
* Måste därefter undertryckas genom filtrering
* Skärmning med metallhölje