From fb8699d3fd125b41384d6c2f81adecbd3d17288f Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Mario Haustein <dm5aha@darc.de>
Date: Wed, 1 Jul 2026 23:52:10 +0200
Subject: [PATCH] fix: use kelvin for temperature coefficient instead of degree
 celsius

See https://github.com/DARC-e-V/50ohm-contents-dl/issues/196#issuecomment-4835315095
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 contents/solutions/AC403.md | 2 +-
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diff --git a/contents/solutions/AC403.md b/contents/solutions/AC403.md
index ba7dc88..a497f01 100644
--- a/contents/solutions/AC403.md
+++ b/contents/solutions/AC403.md
@@ -1,3 +1,3 @@
 Die Durchlassspannung einer Halbleiterdiode ist temperaturabhängig. Mit steigender Temperatur benötigen die Ladungsträger weniger Energie, um die Sperrschicht zu überwinden.
 
-Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\celsius}$.
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+Dadurch sinkt die Durchlassspannung einer Siliziumdiode typischerweise um etwa $\qty{2}{\milli\volt\per\kelvin}$.